C1 Laboratory

如月

February

2013/2/01~2013/03/01


寒さも峠を越え、春の気配が感じられる 立春。立春を過ぎたら、余寒お伺い申し上げます。 修士論文提出、公聴会、 卒業研究発表会、打ち上げの謝恩会、卒業論文提出、入学試験、イベントが目白押しですね。雪灯篭祭り。

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2013年2月

20122月
2012

2012041)
2012052)
2012063)
2012074)
2012085)
2012096)
201210月7)
2012118)
20122月9)

毎月
 睦月10)人日小寒大寒
 2月如月11)立春雨水
 弥生12)上巳啓蟄春分
 卯月13)清明穀雨
 皐月14)端午立夏小満
 水無月15)芒種入梅夏至
 文月16)半夏生小暑大暑
 葉月17)立秋処暑
 長月18)重陽白露秋分
10月神無月19)寒露霜降
11霜月20)立冬小雪
2月師走21)大雪冬至

20122月22)
20122月23)
20102月24)
20092月25)
20082月26)
20072月27)
20062月28)
20052月29)
20032月30)
19952月31)



2012年04月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年05月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).

2012年06月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).

2012年07月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年08月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年09月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年10月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年11月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年12月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 1月(睦月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2003).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 2月(如月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2006).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 3月(弥生),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 4月(卯月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2008).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 5月(皐月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 6月(水無月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 7月(文月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2009).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 8月(葉月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2011).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 9月(長月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 10月(神無月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 11月(霜月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).

高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 12月(師走),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2010).

2013年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

2012年02月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).

2010年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2010).

2009年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).

2008年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).

2007年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).

2006年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2007).

2005年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).

2003年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).

1995年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).

(12012年04月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(22012年05月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).
(32012年06月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).
(42012年07月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(52012年08月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(62012年09月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(72012年10月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(82012年11月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(92012年12月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(10高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 1月(睦月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2003).
(11高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 2月(如月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2006).
(12高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 3月(弥生),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(13高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 4月(卯月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2008).
(14高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 5月(皐月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(15高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 6月(水無月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(16高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 7月(文月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2009).
(17高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 8月(葉月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2011).
(18高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 9月(長月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(19高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 10月(神無月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(20高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 11月(霜月),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2012).
(21高等学校 > 地学(高 > 暦(カレ >  > 12月(師走),
立花 和宏,電気化学の庵, 講義ノート, (2010).
(222013年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(232012年02月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).
(242010年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2010).
(252009年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).
(262008年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).
(272007年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).
(282006年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2007).
(292005年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2012).
(302003年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2013).
(311995年2月
立花 和宏, 研究ノート, (2009).

2013年2月

ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算

ヘプタキス‐O‐O‐ジメチル‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算

Energy calculation of inclusion complexes of AIBN with DM-β-Cyclodextrin by molecular orbital method

とりあえず計算した

化学種2,2'-アゾビスイソブチロニトリル1)
化学種ヘプタキス‐O‐O‐ジメチル‐β‐シクロデキストリン (DM-B-CD)ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン 2)

生成熱回目 AM1
DM-B-CD // AIBN = -1383.9242 kcal/mol (d = about 4.5 from center of DM-B-CD;極小値)生成熱極小値近傍のDM-β-CD+AIBNの分子間距離3)
DM-B-CD AIBN = -1376.7219 kcal/mol

ホストおよびゲスト分子の生成熱回目 AM1
AIBN = 91.3719 kcal/mol生成熱(AIBN;AM1)
DM-B-CD = -1458.103 kcal/mol生成熱(DB-B-CD;AM1)


関連グラフ
DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(全体)DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(全体)4)
DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(極小付近)DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(極小付近) 5)
DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係6)

計算ソフトSCIGRESS 2.4.0

関連テーマ
中~資は2013年にそれまでの研究過酸化ラジカル発生系の検討と抗酸化能評価法への応用というテーマ卒業論文してまとめ山形大学卒業した過酸化ラジカル発生系の検討と抗酸化能評価法への応用7)



生成熱極小値近傍のDM-β-CD+AIBNの分子間距離
伊藤 智博, 研究ノート, (1).

DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(全体)グラフ.

DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(極小付近) グラフ.

DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係グラフ.

(12,2'-アゾビスイソブチロニトリル2,2'-Azobis(isobutyronitrile)(NC(CH3)2CN)2, = 164.21008 g/mol, (化学種).
(2ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン Heptakis(2,6-di-O-methyl)-β-cyclodextrinC63H112O35, = 1429.56128 g/mol, (化学種).
(3生成熱極小値近傍のDM-β-CD+AIBNの分子間距離
伊藤 智博, 研究ノート, (1).
(4DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(全体)グラフ.
(5DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係(極小付近) グラフ.
(6DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係グラフ.
(7過酸化ラジカル発生系の検討と抗酸化能評価法への応用
中嶋 耕資, 山形大学  物質化学工学科, 卒業論文 (2013).

ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算

【議事】分散剤

分散剤

【議事】分散剤

α-シクロデキストリンの分子軌道計算

α-シクロデキストリンの分子軌道計算

β-シクロデキストリンの分子軌道計算

β-シクロデキストリンの分子軌道計算

生成熱極小値近傍のDM-β-CD+AIBNの分子間距離

DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係1)

関連数値
生成熱(DM-B-CD//AIBN;極小値): -5798.6701 kJ/mol2) at d(H165-N214)=6.744

関連ノート
ヘプタキス‐O‐O‐ジメチル‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算3)



DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係グラフ.

ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算
伊藤 智博, 研究ノート, (2013).

(1DM-B-CDとAIBN分子間距離dと生成熱の関係グラフ.
(2生成熱(DM-B-CD//AIBN; AM1; 極小値)数値.
(3ヘプタキス(2‐O,6‐O‐ジメチル)‐β‐シクロデキストリン+AIBNの分子軌道計算
伊藤 智博, 研究ノート, (2013).

生成熱極小値近傍のDM-β-CD+AIBNの分子間距離

IRGANOX 1010の分子軌道計算(再計算)

IRGANOX 10101)2)

初期配座変更して再度計算した

IRGANOX 1010の分子軌道計算によるUV Vis(再計算)3)



IRGANOX 1010の分子軌道計算によるUV Vis(再計算)グラフ.

(1IRGA > IRGANOX 1010
IRGANOX 1010IRGANOX 1010, (材料).
(2ペンタエリトリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオナート]Pentaerythritol tetrakis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionate]C73H108O12, = 1177.65332 g/mol, (化学種).
(3IRGANOX 1010の分子軌道計算によるUV Vis(再計算)グラフ.

IRGANOX 1010の分子軌道計算(再計算)

DBメンテナンス

DBメンテナンス

【講演】サイエンス&テクノロジー

http://www.scien…

【講演】サイエンス&テクノロジー

ラジカル競争反応の解析(トラップ剤と消去物質の反応次数が異なるとき)

ラジカルトラ(T;たとえばDMPO)と消去物質(S;たとえばSOD)に競争反応させたとき反応次数が異なるときの(I0/I)-1の関係はどうなるかなぁ?


仮定反応式

R + T   T-R 反応速度定数 kT
R + nS  S-R 反応速度定数 kS


(I0/I)-1 = kS*[S]^n/(kT*[T])

かなぁ

ポイント[S][T]が常に定でないと成立しなそうだなぁ定常状態法

(I0/I)-1 になるということIc50

反応速度vT, vSとすると
vT = kT[R][T]
vS = kS[R][S]^n

のvT = vS が成立することになる

すなわち

kT[R][T] = kS[R][S]^n

ゆえにkT[T] = kS[S]^n

で求めることができる

関連書籍
スピントラピング法による反応速度の解析について知りたいのですが?1)


関連グラフ
ピロガロールの濃度 vs DMPOピロガロールスーパーオキシドとの反応速度比2)
ルチンの濃度 vs DMPOルチンスーパーオキシドとの反応速度比3)
ミリセチンの濃度 vs DMPOミリセチンスーパーオキシドとの反応速度比4)
カテコールの濃度 vs DMPOカテコールスーパーオキシドとの反応速度比5)
カテキンの濃度 vs DMPOカテキンスーパーオキシドとの反応速度比6)



ピロガロールの濃度 vs DMPOとピロガロールのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

ルチンの濃度 vs DMPOとルチンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

ミリセチンの濃度 vs DMPOとミリセチンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

カテコールの濃度 vs DMPOとカテコールのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

カテキンの濃度 vs DMPOとカテキンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

(1 > スピントラッピング法による反応速度の解析について知りたいのですが?
河野雅弘,吉川敏一,小澤俊彦, 生命科学者のための電子スピン共鳴入門, 講談社, 98, (2011).
(2ピロガロールの濃度 vs DMPOとピロガロールのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.
(3ルチンの濃度 vs DMPOとルチンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.
(4ミリセチンの濃度 vs DMPOとミリセチンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.
(5カテコールの濃度 vs DMPOとカテコールのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.
(6カテキンの濃度 vs DMPOとカテキンのスーパーオキシドとの反応速度比グラフ.

ラジカル競争反応の解析(トラップ剤と消去物質の反応次数が異なるとき)

2013年3月

2013年3月
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    詳細
    山形大学 大学院 理工学研究科 C1ラボラトリー
    〒992-8510 山形県米沢市城南4丁目3-16 3号館(物質化学工学科棟) 3-3301
    准教授 伊藤智博
    0238-26-3753
    http://c1.yz.yamagata-u.ac.jp/