不定比化合物半導体とショットキー接合 酸素不足型：不定比化合物で酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化アルミニウム(Al2O3)など酸素が足りないもの。ｎ型半導体に相当します。不足の酸化物イオン（アニオン）とつりあうだけの電子が共存します1)。 酸素過剰型：不定比化合物で酸化ニッケル、酸化銅、酸化鉄、酸化クロムなど酸素があまっているもの。ｐ型半導体に相当します。不足の金属イオン（カチオン）とつりあうだけの正孔が共存します。 【関連講義】エネルギー変換化学特論,２００９年（平成２１）エネ変2) 半導体界面 (1) 齋藤安俊・齋藤一弥. 金属酸化物のノンストイキオメトリーと電気伝導. 内田老鶴圃, 1987. .(2) 立花和宏, 仁科辰夫. エネルギー化学特論：【２００５年（平成１７）エネ変】. /amenity/Syllabus/@Lecture.asp?nLectureID=2583. (参照2005-04-01).
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