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キャリアが電子である半導体です。真性半導体のケイ素やゲルマニウムにリン、ヒ素、アンチモンなどの不純物元素を添加して作ります。酸化亜鉛(ZnO)を急冷したり、アルミニウムイオン(Al3+)を固溶させたりして、酸素空孔を生じたものもn型半導体となります。このときの不純物元素はF中心に電子を与えるので供与体(ドナー)と呼びます。
不定比化合物としてのn型半導体としては金属過剰酸化物の酸化チタン(TiO2)、酸化スズ(SnO2)、酸素不足酸化物の酸化タンタル(Ⅴ)酸化タンタル(Ⅴ)()などがあります1)2)。
金属不足型や酸素過剰型の不定比化合物はp型半導体に相当します。
【関連書籍】5)
- (1) 齋藤安俊・齋藤一弥.
金属酸化物のノンストイキオメトリーと電気伝導
. 内田老鶴圃, 1987. . - (2) 堂山昌男・山本良一.
セラミック材料
. 東京大学出版会, 1986. . - (3) 吉野勝美.
導電性高分子のはなし
. 日刊工業新聞社, 2001. . - (4) 立花和宏, 仁科辰夫.
エネルギー化学特論:第5講 金属の中の電子と半導体接合
. /amenity/Syllabus/@Lecture.asp?nLectureID=2504. (参照2007-05-16). - (5) 野村正勝・鈴鹿輝男.
最新工業化学―持続的社会に向けて―
. 講談社サイエンティフィク, 2004. .