真性半導体
語釈1.
純物質での半導体のことです1)。高純度のケイ素やゲルマニウムなど。不純物元素を添加してｎ型半導体やｐ型半導体を作ります。バンドギャップ2)はゲルマニウム3)で0.7eV、ケイ素4)では1.1eVとなります。
【関連書籍】半導性材料5)
(
1)
固体状態 >
固体の性質井上 勝也 著,
現代物理化学序説 改訂版, 培風館, (
198).
(
2)
バンドギャップ(
)
[
ジュール].
(
3)
ゲルマニウム,
,
Ge,
=
72.59 g/mol, (
化学種).
(
4)
ケイ素,
Silicon,
Si,
=
28.0855 g/mol, (
化学種).
(
5)
無機薬品 >
機能性金 >
半導性材料野村正勝・鈴鹿輝男,
最新工業化学―持続的社会に向けて―, 講談社サイエンティフィク, (
2004).
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