金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性
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DOI
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| 項目 | 内容 |
|---|---|
| タイトル | 金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性 |
| 著者 | LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL) |
| 書誌情報 | |
| 書誌情報2 | Vol. 165 No. 1 p. 21-28 ( 1988) |
コメント
引用箇所
出典:金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性
引用元
LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL).
金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性. . , (参照 1899-12-30T0:0:0+09:00) .
LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL)
(1988).
金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性.
Thin Solid Films,
Vol.165,
21-28
LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL),
"金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性",
Thin Solid Films,
Vol.165,
No.1,
pp.21-28
(1988).
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<!-- 論文 論文 論文 論文 論文 金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性 -->
<ul>
<li>
<article>
LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL).
<a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Reference/Paper/@PaperReview.asp?nPublicationID=657'>
<q><cite>
金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性
</q></cite>
</a>.
.
</article>
</li>
</ul>
<!-- 論文 論文 論文 論文 論文 金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性 -->
<%nExtID=657:szRefType="paper":szRefHeadLine="LO‥ ST, KOCHOWSKI ST (Technical Univ. Siliesia, Gliwice, POL),金属‐酸化物‐半導体構造の容量‐電圧とコンダクタンス‐電圧特性測定によるGaAs‐陽極酸化物界面の電気的特性,Thin Solid Films,Vol.165,No.1,p.21(1988)."%>
<!-- #include virtual ="/developer/Include/ref_num.inc" -->
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