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🌡️ 📆 令和6年5月4日
⇒#432@文献;

0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価

jstage DOI :
項目 内容
タイトル 0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価
著者 ALLEGRETTO E M, BARDWELL J A (National Res. Council, Ottawa, CAN)
書誌情報

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引用箇所

出典：0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価

引用元

ALLEGRETTO E M, BARDWELL J A (National Res. Council, Ottawa, CAN). 0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価. . , （参照 1899-12-30T0:0:0+09:00） .
ALLEGRETTO E M, BARDWELL J A (National Res. Council, Ottawa, CAN) (1996). 0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価. J Vac Sci Technol A, Vol.14, 2437-2442
ALLEGRETTO E M, BARDWELL J A (National Res. Council, Ottawa, CAN), "0.1M･HCl中で形成させた成長ままおよびアニールしたSiO2薄膜の特性評価", J Vac Sci Technol A, Vol.14, No.4, pp.2437-2442 (1996).

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