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令和8年10月12日 (月)
⇒#164@卒論;
2000 ( 1999 , 2000 , ) 卒業論文

👀 薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性

山形大学  物質化学工学科  仁科研究室    佐藤 昌則
eLabFTW

👨‍🏫 自 1999/04/01 至 2000/03/31
C1:仁科辰夫・立花和宏

大風 順平 ,大沼 源一郎 ,佐藤 昌則 ,佐藤 幸裕 ,篠崎 正利 ,鈴木 芳和 ,立花 和宏 ,田中 良司 ,中谷 基 ,成田 淳 ,野中 淳子 ,槙 清崇 ,宮下 貴美子
卒業研究について 1999 2000



薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性

クエン酸錯体1)

クリスマス・イブの研究室。恋人と素敵な時間を過ごすばかりがクリスマスじゃないやい、と負け惜しみを言いながら、サイクリックボルタモグラムを取り続ける教員と学生。「もっと早くやってみなよ!ほらいけるじゃないか!」「ピークがですね・・・」「いいんだ、ピークが見えなくなる掃引速度が知りたいんだ!」活物質がかなりの高速で充放電ができるということを確かめた思い出深いクリスマス・イブでした。彼の研究はじゅん2)に引き継がれます。

【論文】たちばな;電池の高速充放電に関する論文3)

クエン酸錯体法では高速充放電可能な活物質が合成で4)

●1999年度(平成11)卒業研究5)
◆1999(平成11)年度ノート6)

集電体|活物質(界面)7)



クエン酸錯体,材料&試料
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).

【論文】たちばな;電池の高速充放電に関する論文
立花和宏, 研究ノート, (2003).

クエン酸錯体法では高速充放電可能な活物質が合成で
立花和宏, 研究ノート, (2000).

【1999年度(平成11)卒業研究】,C1履歴
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).

◆1999(平成11)年度ノート
立花和宏, 研究ノート, (1999).

集電体|活物質(界面),電極に内在する界面
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).

(1) クエン酸錯体,材料&試料
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).
(2) フォトリソグラフィ技術を用いたリチウム電池正極活物質配置制御によるレート特性の改善
上村 潤, 卒業論文, (2001).
(3) 【論文】たちばな;電池の高速充放電に関する論文
立花和宏, 研究ノート, (2003).
(4) クエン酸錯体法では高速充放電可能な活物質が合成で
立花和宏, 研究ノート, (2000).
(5) 【1999年度(平成11)卒業研究】,C1履歴
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).
(6) ◆1999(平成11)年度ノート
立花和宏, 研究ノート, (1999).
(7) 集電体|活物質(界面),電極に内在する界面
仁科 辰夫, 卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2008).


題目: 薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性
著者: 佐藤 昌則
キーワード: #薄膜

◇ 緒言

背景

工業製品や材料について調べます。 研究プロジェクトに参加するのもいいでしょう。

目的


◇

👨‍🏫 実験方法

工学部の場合、モノヅクリの研究論文ですから、準備するもの、作成手順、そして評価と述べてゆきます。評価だけの論文はあまりよくありません。 できるだけエコ研究・DIYを目指しましょう。

サンプル や 消耗品は、購入先(業者、店舗、ネット)なども示して、 表にまとまっていると読者が追試しやすいです。

佐藤 昌則の管理するサンプル

準備するもの

サンプル の 履歴

作成手順

消耗品の 履歴

評価の方法

装置と 使用履歴

図

管理の方法

管理の方法を示してください。試作品やデータの管理の方法、リユース、リサイクルや廃棄の方法があるとありがたいです。


◇ 結果と考察

物理量( 起電力E〔V〕など)には 単位を示しましょう。本文中に示すときは、量名と記号を示し、〔〕で単位を示します。グラフの軸や表中では、物理量を単位で割って数値のみを示しましょう。

論文は、文章が集まって段落を作り、段落が集まって、節ができ、節が集まって章ができます。 図や 表、 数式や化学式を使います。 物理量にはnomenclatureがあると良いでしょう。

研究ノート

図 (グラフ、写真)、表などを活用しましょう。

図や 表 には図題(キャプション)や表題をつけます。 図や 表の 説明にはひとつの段落を使います。


◇ 参考文献 ( 書籍 ・雑誌 ・口頭発表 ・URL )

佐藤 昌則の学会発表


◇ 参考文献


© 2017 M.Sekiguchi


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<li> <article> 佐藤 昌則. <q><cite> 薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性 </q></cite>. 山形大学 物質化学工学科 , <a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/Thesis_Index.asp'> 卒業論文</a> , 2000. <a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/@Thesis.asp?nThesisID=164'> https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/@Thesis.asp?nThesisID=164</a>, (参照 <time datetime="2026-10-12">2026-10-12</time>). </article> </li>

<h1> 薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性 </h1> <div style='text-align:right;'>   <a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/@Thesis.asp?nThesisID=164'> 佐藤 昌則 </a> </div>

👀 <a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/@Thesis.asp?nThesisID=164'> 佐藤 昌則 </a>, <a href='https://edu.yz.yamagata-u.ac.jp/developer/Asp/Youzan/Academic/@Thesis.asp?nThesisID=164'> 薄膜LiMx(M=Co,Ni,Mn)Oy電極の作成及び高速電位掃引時の反応可逆性 </a>

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