ニオブ固体電解コンデンサ。ニオブ1)を使った固体電解コンデンサです。 あゆみは、2007年に、それまでの研究をＥＳＲによるニオブアノード酸化皮膜の欠陥部定量分析というテーマで卒業論文としてまとめ、山形大学を卒業した2)。 あかみねは、2007年に、それまでの研究を二オブアノード酸化皮膜の絶縁性と表面欠陥の解析というテーマで修士論文としてまとめ、山形大学を卒業した3)。 赤峰広規,立…らは、2004年に岩手県盛岡市で開催された化学系９学協会連合東北地方大会においてニオブアノード酸化皮膜の漏れ電流に及ぼす導電性高分子の接触効果について報告している4)。 耐電圧5)が大きくなる分、皮膜の厚み6)が大きくなり、静電容量7)が小さくなるため、耐電圧と静電容量の積をＣＶ積と呼んで粉末の比表面積8)を示す目安とします。 【材料】 ポリチオフェン9)、 酸化ニオブ（Ⅴ）10) 静電容量11) 【関連講義】 卒業研究（C1-電気化学グループ-2004～2005）,導電性高分子12) 卒業研究（C1-電気化学グループ-2004～2005）,ニオブ関係13) エネルギーデバイス内部の材料界面,エネルギーデバイス内部に存在する物質と電気の流れ14) 【関連書籍】 ポルフィリン分子膜は半導体15) 導電性高分子のはなし16) 機能性高分子17) 18)実験方法 > 材料＆試 > 金属材料 > バルブメ > ニオブとその化合物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2006).ニオブアノード酸化皮膜の漏れ電流に及ぼす導電性高分子の接触効果赤峰広規,立花和宏,仁科辰夫,遠藤孝志,尾形健明,化学系９学協会連合東北地方大会講演要旨集 (2004).実験方法 > 材料＆試 > ゴムとポ > 導電性高分子,ゴムとポリマー仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2006).結果と考 > 卒業論文 > ニオブ関係,卒業論文、修士論文、博士論文仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2008).エネルギ > エネルギーデバイス内部に存在する物質と電気の流れ,エネルギーデバイス内部の材料界面接触とレート特性立花 和宏,エネルギーデバイス内部の, 講義ノート, (2009).(1) 実験方法 > 材料＆試 > 金属材料 > バルブメ > ニオブとその化合物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2006).(2) ＥＳＲによるニオブアノード酸化皮膜の欠陥部定量分析齋藤 歩美, 卒業論文, (2007).(3) 二オブアノード酸化皮膜の絶縁性と表面欠陥の解析赤峰広規, 修士論文, (2007).(4) ニオブアノード酸化皮膜の漏れ電流に及ぼす導電性高分子の接触効果赤峰広規,立花和宏,仁科辰夫,遠藤孝志,尾形健明,化学系９学協会連合東北地方大会講演要旨集 (2004).(5) 耐電圧(withstand voltage) [ボルト].(6) 厚み(thickness) [メートル].(7) 静電容量(electrostatic capacity) [ファラッド].(8) 比表面積(specific surface area) [平方メートル毎キログラム].(9) ポリチオフェン, , （S=N)n, = 46.0727 g/mol, (化学種).(10) 酸化ニオブ（Ⅴ）, , Nb2O5, = 265.8098 g/mol, (化学種).(11) 静電容量(electrostatic capacity) [ファラッド].(12) 実験方法 > 材料＆試 > ゴムとポ > 導電性高分子,ゴムとポリマー仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2006).(13) 結果と考 > 卒業論文 > ニオブ関係,卒業論文、修士論文、博士論文仁科 辰夫,卒業研究（Ｃ１-電気化学, 講義ノート, (2008).(14) エネルギ > エネルギーデバイス内部に存在する物質と電気の流れ,エネルギーデバイス内部の材料界面接触とレート特性立花 和宏,エネルギーデバイス内部の, 講義ノート, (2009).(15) > ポルフィリン分子膜は半導体山下和男・木谷皓, 導電性有機薄膜の機能と設計, 協立出版, (1988).(16) 導電性高分子のはなし吉野勝美, 日刊工業新聞社, (2001).(17) 高分子化 > 機能性高分子野村正勝・鈴鹿輝男, 最新工業化学―持続的社会に向けて―, 講談社サイエンティフィク, (2004).(18) ニオブ／ポリマー固体電解コンデンサ開発の現状竹谷豊、狭場善昭、坂牧亮、伊藤忠仁, ２００９年電気化学秋季大会講演要旨集,0,251(2009).
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