高電場機構

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卒業研究(C1-電気化学2004〜) の単元です。

小単元

概要

高電場機構です。アノダイジングレシオ x 〔m/V〕。

単位電気量あたりで生成する皮膜の体積をKとすると

K=モル質量/密度/電荷/ファラデー定数

アノダイジングレシオ=K×1V/sを与える電流密度

電位上昇速度=

【物理量】

ブレークダウン電圧 VB 〔V〕容積分率 ψ 〔・〕導電率 κ 〔S/m〕電位上昇速度 v 〔V/s〕

アルミニウムのアノード酸化⇒#477@反応;1)


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参考文献( 書籍 ・論文 ・URL)