二酸化マンガン被覆の影響による電位の上昇
二酸化マンガンを被覆することによる電位の上昇は,水分濃度50ppm以下では24.1～26.1Vから27.1～27.6Vへと約2.3V高くなった.水分濃度2000ppmでは42.3～42.4Vから44.6～46.4Vへと約3.2V高くなった.上記の水分の影響による電位上昇分17.3～18.2Vと比べれば,2.3～3.2Vの電位の上昇は格段に小さく,自己修復の主因はYoungが主張する二酸化マンガンの低級酸化物化4)では無いことを示している.なお,二酸化マンガン被覆による電位上昇は,二酸化マンガン1)との接触界面でのショットキーバリアの生成や,導電性の低い二酸化マンガンの被覆とKFポリマーの細孔を通過するイオンの移動度の低下によるiRドロップ, 等の原因が考えられるが,その詳細は今後の研究に期待したい.
by AM\tachibana
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