語釈1.
-----Original Message-----Cu2Oはｐ型半導体ですけど、価電子帯の位置は約０．５Vみたいです。－０．３Vの負荷をかけると単純に価電子帯端も０．２Vになると考えていいのですか？
----- unquote -----
半導体や金属や絶縁体でも、物質中の電子のエネルギーに関して、そのバンドの幅、バンドギャップなどは、基本的にはそのままです。そこに外部から電位を加えると、加えた電位差分だけ、ゴソっとそのまま全部が平行移動しす。-0.3Vだけかければ、全体がそのまま0.3eV分エネルギーレベルが高くなります。バンドの幅やバンドギャップは変化しませんよ。
ただし、溶液界面で表面準位なんてのがあって、それによって溶液側との界面のエネルギーレベルが固定されているような場合には、その接触界面側にはバンドの曲がりが発生していて、外部から電位を加えることによりバンドの曲がり方が変化しますけど、それにしたって、半導体中のバンドギャップなんかは変わりません。
こんなことを質問されたのかな？それとも、電界放射でもやっていて、電子の飛び出し方が云々ということなのかな？その場合は、真空側での電位勾配ってのが関係してきて、真空側での見かけ上のエネルギー障壁値が小さくなったりしますけどね。
