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令和6年11月21日 (木)

MOSFET

語釈1.

金属酸化半導体電界効果トランジスタ1)ソースドレインチャネルでつないだ構造になっていてチャネル半導体の種類によってpチャネル型とnチャネル型がありますチャネルの丈夫に酸化ケイ素の薄い絶縁はさんでゲート電極がありゲート加えいる電圧ソースドレインのに流れる電流制御します2)消費電力が少ないので集積回路に使います3)4)

関連書籍半導体デバイスと集積回路5)
物理量ゲート電圧6)ドレイン電圧7)ドレイン電流8)レジスタンス9)

エネルギ > 【200 > 第7講 工場と製造プロセス(半導体),【2007年(平成19)エネ変】
立花 和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2007).

(1エレクト > 半導体デバイスと集積回路
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(2エネルギ > 【200 > 第7講 工場と製造プロセス(半導体),【2007年(平成19)エネ変】
立花 和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2007).
(3 > よくわかる最新半導体の基本と仕組み(目次)
西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, (2003).
(4 > ディスクリート半導体、増幅や発振を行う基本要素
小島昇, 電子部品図鑑, 誠文堂新光社, (2007).
(5エレクト > 半導体デバイスと集積回路
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(6ゲート電圧 Vg / V.
(7ドレイン電圧 Vd / V.
(8ドレイン電流 Id / A.
(9レジスタンス R / Ω.
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