順序 | 画像 | 図題&コメント |
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図75電位プロファイル | ||
図90チタンと導電性高分子を接触させたときのインピーダンス | CuとAlと比べるとちょうど中間のような感じである。静電容量はAlの6倍。電極面積・電極間距離は一定であるため、単純な静電容量の変化ではなく、二重層容量が発現していると考えられる。 Cが高周波になるにつれ、大きく減少しているので、被膜中の静電容量とは考えにくい。 | |
図89アルミニウムと導電性高分子を接触させたときのインピーダンス | 抵抗R[Ω]=390Ω。Cuの場合と比べ同じ導電性高分子が接触していても性質が大きく違うことがわかる。また、位相角が-80°であることから、コンデンサであるとかんがえられ、Alと導電性高分子が接触することでショットキーバリアが生じている。 | |
1.100 | 図80銅|導電性高分子の静電容量の周波数依存性 | |
1.110 | 図79銅と導電性高分子を接触させたときのインピーダンス | Cuのとき、抵抗R[Ω]は0.09Ω。今回の印加電圧は1V。計算すると10A流れるということになるが、そんなことはなく、実際導電性高分子の抵抗はかなり小さいため、LCRメーターの限界であると考えられる。また、Cuと導電性高分子はオーム接触していることがわかる。 |
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