HOME 教育状況公表 令和3年9月25日

FET

1.

ゲート電圧キャリア濃度変化させソースドレイン間のレジスタンス制御する素子

電界効果トランジタよばれる半導体素子1)2)ドレイン電極ゲート電極ソース電極がありゲート付近の電界によってソースドレインに流れる電流制御します3)4)チャネル型とpチャネル型がありますゲートタンタル5)などの金属酸化膜使ったMOSFETコンピュータCPUなどデジタル回路によく使われます有機トランジスタも研究されています6)

関連書籍エレクトロニクスと電気化学7)

物理量ゲート電圧8)ドレイン電圧9)ドレイン電流10)レジスタンス11)

エネルギ > 【200 > 第7講 工場と製造プロセス(半導体),【2007年(平成19)エネ変】
立花 和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2007).

(1 > 工場見学!モノがつくられる工程をみる
松林光男、渡辺弘, イラスト図解 工場のしくみ, 日本実業出版社, (2004).
(2 > よくわかる最新半導体の基本と仕組み(目次)
西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, (2003).
(3エレクト > 半導体デバイスと集積回路
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(4エネルギ > 【200 > 第7講 工場と製造プロセス(半導体),【2007年(平成19)エネ変】
立花 和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2007).
(5酸化タンタル(Ⅴ), = 441.893 g/mol, (化学種).
(6 > 有機エレクトロニクス(目次)
長谷川悦雄, 有機エレクトロニクス, 工業調査会, (2005).
(7 > エレクトロニクスと電気化学
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(8ゲート電圧 Vg / V.
(9ドレイン電圧 Vd / V.
(10ドレイン電流 Id / A.
(11レジスタンス R / Ω.