語釈1.
ゲート電圧でキャリア濃度を変化させ、ソース－ドレイン間のレジスタンスを制御する素子。電界効果型トランジタとよばれる半導体素子です1)2)。ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極があり、ゲート付近の電界によってソースとドレインに流れる電流を制御します3)4)。ｎチャネル型とｐチャネル型があります。ゲートにタンタル5)などの金属酸化膜を使ったＭＯＳＦＥＴはコンピュータのＣＰＵなどデジタル回路によく使われます。有機トランジスタも研究されています6)。
【関連書籍】エレクトロニクスと電気化学7)
【物理量】ゲート電圧8)ドレイン電圧9)ドレイン電流10)レジスタンス11)
(1) > 工場見学！モノがつくられる工程をみる
松林光男、渡辺弘, イラスト図解 工場のしくみ, 日本実業出版社, (2004).
(2) > よくわかる最新半導体の基本と仕組み（目次）
西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, (2003).
(3) エレクト > 半導体デバイスと集積回路
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(4) エネルギ > 【２００ > 第７講 工場と製造プロセス（半導体）,【２００７年（平成１９）エネ変】
立花 和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2007).
(5) 酸化タンタル（Ⅴ）, , , = 441.893 g/mol, (化学種).
(6) > 有機エレクトロニクス（目次）
長谷川悦雄, 有機エレクトロニクス, 工業調査会, (2005).
(7) > エレクトロニクスと電気化学
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
(8) ゲート電圧 Vg / V.
(9) ドレイン電圧 Vd / V.
(10) ドレイン電流 Id / A.
(11) レジスタンス R / Ω.
松林光男、渡辺弘, イラスト図解 工場のしくみ, 日本実業出版社, (2004).
(2) > よくわかる最新半導体の基本と仕組み（目次）
西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, (2003).
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山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).
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(5) 酸化タンタル（Ⅴ）, , , = 441.893 g/mol, (化学種).
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(7) > エレクトロニクスと電気化学
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(8) ゲート電圧 Vg / V.
(9) ドレイン電圧 Vd / V.
(10) ドレイン電流 Id / A.
(11) レジスタンス R / Ω.
