HOME 教育状況公表 令和3年1月25日

ゲート

1.

FETで水門の役目する電極液晶ディスプレイガラス基板ゲート電極にはアルミニウムチタン窒化チタンなどが使われますLSI内部のFETゲート電極には駆動電圧下げるためシリカより誘電率1)の大きいタンタルアノード酸化皮膜が使われます2)

有機トランジスタでは活性層に有機半導体材料用いていますゲート電圧で有機層ゲート絶縁膜界面に蓄積するキャリア密度制御ソースドレイン電極間の電流スイチングすることができます

物理量ドレイン電流3)

実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング
仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).

(1誘電率 ε / F/m.
(2実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング
仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).
(3ドレイン電流 Id / A.