1.編集1-2334-2ナレッジFETで水門の役目をする電極。液晶ディスプレイのガラス基板のゲート電極には、アルミニウム、チタン、窒化チタンなどが使われます。LSI内部のFETのゲート電極には、駆動電圧を下げるためシリカより誘電率1)の大きいタンタルのアノード酸化皮膜が使われます2)。 有機トランジスタでは活性層に有機半導体材料を用いています。ゲート電圧で有機層/ゲート絶縁膜界面に蓄積するキャリア密度を制御し、ソース、ドレイン電極間の電流をスイッチングすることができます。 【物理量】ドレイン電流3)実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).(1) 誘電率 ε / F/m.(2) 実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).(3) ドレイン電流 Id / A.#🗒️👨🏫液晶ディスプレイ#🗒️👨🏫ガラス#🗒️👨🏫アルミニウム#🗒️👨🏫チタン#🗒️👨🏫窒化チタン#🗒️👨🏫板#🗒️👨🏫電極#🗒️👨🏫基板#🗒️👨🏫タンタル#🗒️👨🏫LSI#🗒️👨🏫FET#🗒️👨🏫誘電率#🗒️👨🏫ソース#🗒️👨🏫ドレイン
1.編集1-2334-2ナレッジFETで水門の役目をする電極。液晶ディスプレイのガラス基板のゲート電極には、アルミニウム、チタン、窒化チタンなどが使われます。LSI内部のFETのゲート電極には、駆動電圧を下げるためシリカより誘電率1)の大きいタンタルのアノード酸化皮膜が使われます2)。 有機トランジスタでは活性層に有機半導体材料を用いています。ゲート電圧で有機層/ゲート絶縁膜界面に蓄積するキャリア密度を制御し、ソース、ドレイン電極間の電流をスイッチングすることができます。 【物理量】ドレイン電流3)実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).(1) 誘電率 ε / F/m.(2) 実験方法 > 材料&試 > 金属材料 > バルブメ > タンタルとその酸化物,バルブメタルのアノード酸化とエッチング仁科 辰夫,卒業研究(C1-電気化学, 講義ノート, (2006).(3) ドレイン電流 Id / A.#🗒️👨🏫液晶ディスプレイ#🗒️👨🏫ガラス#🗒️👨🏫アルミニウム#🗒️👨🏫チタン#🗒️👨🏫窒化チタン#🗒️👨🏫板#🗒️👨🏫電極#🗒️👨🏫基板#🗒️👨🏫タンタル#🗒️👨🏫LSI#🗒️👨🏫FET#🗒️👨🏫誘電率#🗒️👨🏫ソース#🗒️👨🏫ドレイン