⇒#16596@業績;

Incorporation mechanism of dopant phosphorous in Si gas source molecular beam epitaxy

, Journal of Crystal Growth 212(2000)pp.103-108. , 2000-5-1


<!--　論文、特許、論文、特許　-->

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<li>

<article>

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<q><cite>
Incorporation mechanism of dopant phosphorous in Si gas source molecular beam epitaxy
</q></cite>
</a>.

, .
2000.

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