大学教育の質の保証・向上ならびに 電子化及びオープンアクセスの推進の観点から 学校教育法第百十三条に基づき、 教育研究活動の状況を公表しています。
第百十三条 大学は、教育研究の成果の普及及び活用の促進に資するため、その教育研究活動の状況を公表するものとする。
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A.ギブスの自由エネルギーはエントロピーが増大する方向へ変化することとポテンシャルエネルギーが減少する方向へ変化する．つまり金属では温度が上昇すると抵抗が増大し，半導体や電解液では温度が上昇すると抵抗が減少する．
A. 金属は電子と原子核の衝突により電気抵抗が生じ、この衝突は原子核の熱振動によって頻度が増加するため、温度が高くなるほど電気抵抗が上昇する。 半導体は高温になると、熱によって励起された電荷担体が支配的になるため、温度が高くなるほど電気抵抗が低下する。 電解液では電流を担うのは電子や正孔ではなく、イオンであり、温度が上がるとイオンが動きやすくなり電気を流しやすくなるので温度が高くなるほど電気抵抗が低下する。
A.ギブスの自由エネルギーはG=H-TSで示される。金属の場合、物質移動が起こらないため温度が上昇すると電気抵抗は増加する。逆に半導体や電解液はギブスエネルギーを一定に保とうとするのでエントロピーが減少し、電気抵抗が減少する。
A.Eは活性化エネルギーで、真性半導体ではバンドギャップエネルギーに相当する。ここで、kはボルツマン常数、Tは絶対温度である。それに対して、金属の電気伝導にはバンドギャップは無関係なので、温度が上がると格子振動によって散乱され電気伝導度は低下する。金属では高温では電気伝導度が絶対温度Ｔに逆比例する。
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第百十三条 大学は、教育研究の成果の普及及び活用の促進に資するため、その教育研究活動の状況を公表するものとする。
