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🌡️ 📆 令和6年4月25日
⇒#1676@文献;

Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films

jstage DOI :
項目 内容
タイトル Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films
著者 T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker
書誌情報

コメント

T. Christidis らはa-SiC:Hの最初の構成要素は幅4.4Gでg値2.0030これは奇数のπ結合環のような炭素の欠陥示し2つ目の構成要素は幅6.6Gでg値2.0055これはSi間結合のようなシリコンと同族の欠陥の有無示していると述べている

引用箇所

出典:Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films


引用元


T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker. Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films. . , (参照 1899-12-30T0:0:0+09:00) .

T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker (2001). Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films. applied surface science, Vol.184, 268-0


T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker, "Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films", applied surface science, Vol.184, No.0, pp.268-0 (2001).

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