Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films
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T. Christidis らはa-SiC:Hの最初の構成要素は幅4.4Gでg値2.0030,これは奇数のπ結合環のような炭素の欠陥を示し,2つ目の構成要素は幅6.6Gでg値2.0055,これはSi間結合のようなシリコンと同族の欠陥の有無を示していると述べている。
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項目 | 内容 |
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タイトル | Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films |
著者 | T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker |
書誌情報 |
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引用箇所
出典:Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films
引用元
T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker.
Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films. . , (参照 1899-12-30T0:0:0+09:00) .
T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker
(2001).
Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films.
applied surface science,
Vol.184,
268-0
T. Christidis, M. Tabbal, S. Isber M.A. El Khakani, M. Chaker,
"Comparative EPR study of hydrogenated and unhydrogenated amorphous silicon carbide thin films",
applied surface science,
Vol.184,
No.0,
pp.268-0
(2001).
出版物
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