p-n接合
p-n接合とは
半導体内でp型半導体の領域とn型半導体が接している部分をいう。
p-n接合の電流電圧特性
順バイアスを印加したときには電流が流れ、逆バイアスを印加したときには電流がほとんど流れず、
ある電圧に達したときに流れる電流が急増する。このときの電圧を降伏電圧という。
p-n接合の整流作用
上記の特性により電圧を印加する向きによって流れる電流の値が異なる。
一方の方向では電流が流れ、逆方向では電流が流れなくなる。
これを整流作用といい、この原理はダイオードに用いられている。
ダイオードのツェナー降伏
p-n接合では基本的には逆バイアスでは電流が流れない。
しかし、逆バイアスで高電圧を印加すると空乏層が薄くなり、電子は空乏層をトンネルし、電流が流れ始める。
これをダイオードのツェナー降伏という。